型号:IPI80N06S2-08 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 8 毫欧 @ 58A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 150µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 96nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2860pF @ 25V |
功率_最大 | 215W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
包装 | 管件 |
供应商
深圳勤思达科技有限公司 | 吴086-0755-83268779 |
深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
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